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CVD生长二(er)维单层二(er)硫化钨(WS2)纳米(mi)片 CVD二维(wei)材料

制(zhi)备方法(fa):金属基片表(biao)面CVD生(sheng)长(zhang)加液相转移(yi)

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产品外观

1cm×1cm硅(gui)晶(jing)片,样品附着在硅(gui)晶(jing)片抛光(guang)表(biao)面

基片材质

带有290nm氧(yang)化硅层的硅晶片

包装规格

单片盒装,密(mi)封(feng),氩气保护(hu)

CVD生长二维单层二硫化钨(WS2)纳米片
制备方法:金属基片表面CVD生长加液相转移
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